Epitaksi ve atomik katman birikimi (ALD) arasındaki temel fark, film büyüme mekanizmaları ve çalışma koşullarında yatmaktadır. Epitaksi, aynı veya benzer kristal yapıyı koruyarak, kristalin bir substrat üzerinde belirli bir yönelim ilişkisi ile kristalin ince bir filmin büyütülmesi işlemini ifade ed......
Devamını okuCVD TAC kaplama, bir alt tabaka (grafit) üzerinde yoğun ve dayanıklı bir kaplama oluşturmaya yönelik bir işlemdir. Bu yöntem, TaC'nin alt tabaka yüzeyine yüksek sıcaklıklarda biriktirilmesini içerir ve bunun sonucunda mükemmel termal stabiliteye ve kimyasal dirence sahip bir tantal karbür (TaC) kapl......
Devamını okuGüç elektroniği, optoelektronik ve diğer alanlarda SiC malzemelerine olan talebin artmasıyla birlikte SiC tek kristal büyütme teknolojisinin geliştirilmesi, bilimsel ve teknolojik yeniliklerin önemli bir alanı haline gelecektir. SiC tek kristal büyütme ekipmanının temeli olan termal alan tasarımı, y......
Devamını oku