CVD SiC, kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle üretilen yüksek saflıkta silisyum karbür malzemedir. Esas olarak yarı iletken işleme ekipmanlarındaki çeşitli bileşenler ve kaplamalar için kullanılır. Aşağıdaki içerik CVD SiC'nin ürün sınıflandırmasına ve temel işlevlerine bir giriş niteliğindedir
Devamını okuYarı iletken imalat endüstrisinde cihaz boyutu küçülmeye devam ettikçe ince film malzemelerinin biriktirme teknolojisi benzeri görülmemiş zorluklar ortaya çıkardı. Atomik seviyede hassas kontrol sağlayabilen ince film biriktirme teknolojisi olan Atomik Katman Biriktirme (ALD), yarı iletken imalatını......
Devamını okuMükemmel bir kristalin taban katmanı üzerine entegre devreler veya yarı iletken cihazlar oluşturmak idealdir. Yarı iletken imalatındaki epitaksi (epi) işlemi, tek kristalli bir alt tabaka üzerinde genellikle yaklaşık 0,5 ila 20 mikron kadar ince bir tek kristalli katman biriktirmeyi amaçlar. Epitaks......
Devamını oku