Çin UV LED Sensör Üretici, Tedarikçi, Fabrika

VeTek Semiconductor, UV LED Süseptörler konusunda uzmanlaşmış, LED EPI süseptörler konusunda uzun yıllara dayanan araştırma, geliştirme ve üretim deneyimine sahip olan ve sektördeki birçok müşteri tarafından tanınan bir üreticidir.

LED, yani yarı iletken ışık yayan diyot, lüminesansının fiziksel doğası, yarı iletken pn bağlantısına enerji verildikten sonra, elektrik potansiyelinin tahriki altında, yarı iletken malzemedeki elektronlar ve deliklerin fotonlar üretmek üzere birleştirilmesidir. yarı iletken lüminesans elde edin. Bu nedenle epitaksiyel teknoloji, LED'in temellerinden ve çekirdeğinden biridir ve aynı zamanda LED'in elektriksel ve optik özellikleri için de ana belirleyici faktördür.

Epitaksi (EPI) teknolojisi, tek bir kristal malzemenin, substrat ile aynı kafes düzenlemesine sahip tek bir kristal substrat üzerinde büyütülmesini ifade eder. Temel prensip: Uygun sıcaklığa ısıtılan bir alt katman üzerinde (esas olarak safir alt katman, SiC alt katman ve Si alt katman), indiyum (In), galyum (Ga), alüminyum (Al), fosfor (P) gaz halindeki maddeler yüzeye kadar kontrol edilir Belirli bir tek kristal filmi büyütmek için substratın. Şu anda, LED epitaksiyel tabakanın büyüme teknolojisi esas olarak MOCVD (organik metal kimyasal meteorolojik biriktirme) yöntemini kullanmaktadır.

LED epitaksiyel alt tabaka malzemesi

1. Kırmızı ve sarı LED:

GaP ve GaAs, kırmızı ve sarı LED'ler için yaygın olarak kullanılan substratlardır. Sıvı faz epitaksi (LPE) yönteminde GaP substratları kullanılarak 565-700 nm arasında geniş bir dalga boyu aralığı elde edilir. Gaz fazı epitaksi (VPE) yöntemi için, GaAsP epitaksiyel katmanları büyütülerek 630-650 nm arasında dalga boyları elde edilir. MOCVD kullanıldığında, GaAs substratları tipik olarak AlInGaP epitaksiyel yapıların büyümesiyle birlikte kullanılır. Bu, InGaP ve AlGaInP yapılarını büyütmek için tampon katmanları gerektiren kafes uyumsuzluğuna neden olmasına rağmen, GaAs substratlarının ışık emme dezavantajlarının üstesinden gelmeye yardımcı olur.

VeTek Semiconductor, SiC kaplamalı, TaC kaplamalı LED EPI tutucu sağlar:

VEECO Kırmızı ve Sarı LED EPI Sensörü LED EPI tutucusunda kullanılan TaC kaplama

2. mavi ve yeşil LED:

GaN Substratı: GaN tek kristali, GaN büyümesi için ideal substrattır; kristal kalitesini, çip ömrünü, ışık verimliliğini ve akım yoğunluğunu artırır. Ancak hazırlanmasının zor olması uygulamasını sınırlamaktadır.

Safir Substrat: Safir (Al2O3), GaN büyümesi için en yaygın substrattır, iyi kimyasal stabilite sunar ve görünür ışık emilimi yoktur. Ancak güç çiplerinin yüksek akımda çalışmasında yetersiz ısı iletkenliği nedeniyle zorluklarla karşılaşılmaktadır.

SiC Substrat: SiC, GaN büyümesi için kullanılan ve pazar payında ikinci sırada yer alan başka bir substrattır. İyi kimyasal stabilite, elektriksel iletkenlik, termal iletkenlik sağlar ve görünür ışık emilimi yoktur. Ancak safirle karşılaştırıldığında fiyatı daha yüksek ve kalitesi daha düşüktür. SiC, 380 nm'nin altındaki UV LED'ler için uygun değildir. SiC'nin mükemmel elektriksel ve termal iletkenliği, safir substratlar üzerindeki güç tipi GaN LED'lerde ısı dağıtımı için flip-chip bağlama ihtiyacını ortadan kaldırır. Güç tipi GaN LED cihazlarda üst ve alt elektrot yapısı ısı dağıtımında etkilidir.

AMEC mavi ve yeşil LED EPI tutucu TaC Kaplamalı MOCVD Süseptör

3. Derin UV LED EPI:

Derin ultraviyole (DUV) LED epitaksi, derin UV LED veya DUV LED Epitaksi'de substrat olarak yaygın olarak kullanılan kimyasal malzemeler arasında alüminyum nitrür (AlN), silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrür (GaN) bulunur. Bu malzemeler iyi ısı iletkenliğine, elektrik yalıtımına ve kristal kalitesine sahiptir; bu da onları yüksek güç ve yüksek sıcaklık ortamlarında DUV LED uygulamaları için uygun kılar. Alt tabaka malzemesinin seçimi, uygulama gereklilikleri, imalat süreçleri ve maliyet hususları gibi faktörlere bağlıdır.

SiC Kaplamalı Derin UV LED Süseptör TaC Kaplamalı Derin UV LED Süseptör