- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Endüstri Haberleri
Çinli şirketlerin Broadcom ile 5nm çipler geliştirdikleri bildiriliyor!
Denizaşırı haberlere göre, 24 Haziran'da iki kaynak, ByteDance'in, Çin ile Çin arasındaki gerilimin ortasında, ByteDance'in yeterli üst düzey çip tedarikini sağlamasına yardımcı olacak gelişmiş bir yapay zeka (AI) bilgi işlem işlemcisi geliştirmek için ABD çip tasarım şirketi Broadcom ile birlikte ç......
Devamını oku
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8 inçlik SiC yongalarının Aralık ayında üretime girmesi bekleniyor!
SiC sektörünün lider üreticisi olan Sanan Optoelektronik'in ilgili dinamikleri sektörde büyük ilgi gördü. Son zamanlarda Sanan Optoelectronics, 8 inçlik dönüşüm, yeni substrat fabrikası üretimi, yeni şirketlerin kurulması, devlet sübvansiyonları ve diğer hususları içeren bir dizi son gelişmeyi açıkl......
Devamını oku
TaC Kaplı Grafit Parçaların Tek Kristal Fırınlarda Uygulanması
SiC ve AlN tek kristallerinin fiziksel buhar taşıma (PVT) yöntemi kullanılarak büyütülmesinde pota, tohum tutucu ve kılavuz halka gibi önemli bileşenler hayati bir rol oynar. Şekil 2'de [1] gösterildiği gibi, PVT işlemi sırasında tohum kristali daha düşük sıcaklık bölgesinde konumlandırılırken, SiC ......
Devamını oku
SiC epitaksiyel büyütme fırınının farklı teknik yolları
Silisyum karbür alt tabakaların birçok kusuru vardır ve doğrudan işlenemez. Çip gofretler yapmak için epitaksiyel bir işlem yoluyla üzerlerinde belirli bir tek kristal ince filmin büyütülmesi gerekir. Bu ince film epitaksiyel tabakadır. Hemen hemen tüm silisyum karbür cihazlar epitaksiyel malzemeler......
Devamını oku
Silisyum karbür epitaksinin malzemesi
Silisyum karbür epitaksiyel tabakanın malzemesi, genellikle yüksek güçlü elektronik cihazların ve LED'lerin üretiminde kullanılan silisyum karbürdür. Mükemmel termal kararlılığı, mekanik mukavemeti ve yüksek elektrik iletkenliği nedeniyle yarı iletken endüstrisinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Devamını oku
