Çin Silisyum Karbür Kaplama, Tantal Karbür Kaplama, Özel Grafit Üreticisi, Tedarikçi, Fabrika

Tantal Karbür Kaplama

VeTek yarı iletken, yarı iletken endüstrisine yönelik Tantal Karbür Kaplama malzemelerinin lider üreticisidir. Ana ürün tekliflerimiz arasında CVD tantal karbür kaplama parçaları, SiC kristal büyütme için sinterlenmiş TaC kaplama parçaları veya yarı iletken epitaksi işlemi yer alır. ISO9001'i geçen VeTek Semiconductor, kalite konusunda iyi bir kontrole sahiptir. VeTek Semiconductor, sürekli olarak tekrarlanan teknolojilerin araştırılması ve geliştirilmesi yoluyla Tantal Karbür Kaplama endüstrisinde yenilikçi olmaya kendini adamıştır.

Ana ürünlerTantal Karbür kaplama deflektör halkası, TaC kaplı saptırma halkası, TaC kaplı yarım ay parçalar, Tantal Karbür Kaplamalı Gezegensel Dönme Diski (Aixtron G10), TaC Kaplamalı Pota; TaC Kaplamalı Halkalar; TaC Kaplamalı Gözenekli Grafit; Tantal Karbür Kaplama Grafit Tutucu; TaC Kaplamalı Kılavuz Halkası; TaC Tantal Karbür Kaplamalı Plaka; TaC Kaplı Gofret Süseptör; TaC Kaplama Halkası; TaC Kaplama Grafit Kapak; TaC Kaplamalı Parçavb., saflık 5 ppm'nin altındadır, müşteri gereksinimlerini karşılayabilir.

TaC kaplama grafiti, yüksek saflıkta bir grafit alt katmanın yüzeyinin, özel bir Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) işlemiyle ince bir tantal karbür tabakasıyla kaplanmasıyla oluşturulur. Avantajı aşağıdaki resimde gösterilmektedir:

Performance Advantages of Tantalum Carbide Coating

Tantal karbür (TaC) kaplama, 3880°C'ye kadar yüksek erime noktası, mükemmel mekanik mukavemeti, sertliği ve termal şoklara karşı direnci nedeniyle dikkat çekmiş olup, bu da onu daha yüksek sıcaklık gereksinimleri olan bileşik yarı iletken epitaksi işlemlerine çekici bir alternatif haline getirmektedir. Aixtron MOCVD sistemi ve LPE SiC epitaksi prosesi gibi. Ayrıca PVT metodu SiC kristal büyütme prosesinde de geniş bir uygulamaya sahiptir.

Temel Özellikler:

Sıcaklık kararlılığı

Ultra yüksek saflık

H2, NH3, SiH4,Si'ye karşı direnç

Termal stoğa karşı direnç

Grafitte güçlü yapışma

Uyumlu kaplama kapsamı

750 mm çapa kadar boyut(Çin'de bu boyuta ulaşan tek üretici)

Uygulamalar:

Gofret taşıyıcı

Endüktif ısıtma tutucusu

Dirençli ısıtma elemanı

Uydu diski

Duş başlığı

Kılavuz halkası

LED Epi alıcısı

Enjeksiyon memesi

Maskeleme halkası

Isı kalkanı

Mikroskobik bir kesit üzerinde tantal karbür (TaC) kaplama:

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section

VeTek Yarı İletken Tantal Karbür Kaplama Parametresi:

TaC kaplamanın fiziksel özellikleri
Yoğunluk	14,3 (g/cm³)
Spesifik emisyon	0.3
Termal genleşme katsayısı	6.3 10^-6/K
Sertlik (HK)	2000 Hong Kong
Rezistans	1×10^-5Ohm*cm
Termal stabilite	<2500°C
Grafit boyutu değişiklikleri	-10~-20um
Kaplama kalınlığı	≥20um tipik değer (35um±10um)

TaC kaplama EDX verileri：

TaC coating EDX data

TaC kaplama kristal yapı verileri

Öğe	Atom yüzdesi
	Pt. 1	Pt. 2	Pt. 3	Ortalama
CK	52.10	57.41	52.37	53.96
Ta M	47.90	42.59	47.63	46.04

TaC Kaplama Aynası TaC Kaplama Planet Diski TaC Kaplamalı Plaka TaC Kaplama Döndürme Plakası TaC kaplama tutucusu CVD TaC kaplama Kapak CVD TaC Kaplama Halkası TaC Kaplama Plakası

Silisyum Karbür Kaplama

VeTek Semiconductor, ultra saf Silisyum Karbür Kaplama ürünlerinin üretiminde uzmanlaşmıştır; bu kaplamalar, saflaştırılmış grafit, seramik ve refrakter metal bileşenlere uygulanacak şekilde tasarlanmıştır.

Yüksek saflıktaki kaplamalarımızın öncelikli olarak yarı iletken ve elektronik endüstrilerinde kullanılması hedeflenmektedir. Plaka taşıyıcıları, tutucular ve ısıtma elemanları için koruyucu bir katman görevi görerek onları MOCVD ve EPI gibi işlemlerde karşılaşılan aşındırıcı ve reaktif ortamlardan korurlar. Bu işlemler, levha işleme ve cihaz imalatının ayrılmaz bir parçasıdır. Ayrıca kaplamalarımız, yüksek vakum, reaktif ve oksijen ortamlarıyla karşılaşılan vakum fırınları ve numune ısıtma uygulamaları için de çok uygundur.

VeTek Semiconductor olarak gelişmiş makine atölyesi yeteneklerimizle kapsamlı bir çözüm sunuyoruz. Bu, temel bileşenleri grafit, seramik veya refrakter metaller kullanarak üretmemize ve SiC veya TaC seramik kaplamaları kendi bünyemizde uygulamamıza olanak sağlar. Ayrıca müşteri tarafından tedarik edilen parçalar için kaplama hizmetleri de sunarak farklı ihtiyaçları karşılama esnekliği sağlıyoruz.

Silisyum Karbür Kaplama ürünlerimiz Si epitaksi, SiC epitaksi, MOCVD sistemi, RTP/RTA işlemi, aşındırma işlemi, ICP/PSS aşındırma işlemi, mavi ve yeşil LED, UV LED ve derin UV dahil olmak üzere çeşitli LED türlerinin işleminde yaygın olarak kullanılmaktadır. LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI ve benzerlerinin ekipmanlarına uyarlanan LED vb.

Yapabileceğimiz reaktör parçaları:

Silisyum Karbür Kaplamanın birçok benzersiz avantajı vardır:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

VeTek Yarı İletken Silisyum Karbür Kaplama Parametresi:

CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk	Tipik Değer
Kristal Yapısı	FCC β fazı çok kristalli, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk	3,21 g/cm³
Sertlik	2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tahıl Boyutu	2~10μm
Kimyasal Saflık	%99,99995
Isı Kapasitesi	640 J·kg-1·K-1
Süblimleşme Sıcaklığı	2700°C
Eğilme Dayanımı	415 MPa RT 4 noktalı
Young Modülü	430 Gpa 4nokta viraj, 1300°C
Isı İletkenliği	300W·m-1·K-1
Termal Genleşme (CTE)	4,5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

Gofret

Wafer Substrate is a wafer made of semiconductor single crystal material. The substrate can directly enter the wafer manufacturing process to produce semiconductor devices, or it can be processed by epitaxial process to produce epitaxial wafers.

Wafer Substrate, as the basic supporting structure of semiconductor devices, directly affects the performance and stability of the devices. As the "foundation" for semiconductor device manufacturing, a series of manufacturing processes such as thin film growth and lithography need to be carried out on the substrate.

Summary of substrate types:

1. Single crystal silicon wafer: currently the most common substrate material, widely used in the manufacture of integrated circuits (ICs), microprocessors, memories, MEMS devices, power devices, etc.;

2. SOI substrate: used for high-performance, low-power integrated circuits, such as high-frequency analog and digital circuits, RF devices and power management chips;

3. Compound semiconductor substrates: Gallium arsenide substrate (GaAs): microwave and millimeter wave communication devices, etc. Gallium nitride substrate (GaN): used for RF power amplifiers, HEMT, etc. Silicon carbide substrate (SiC): used for electric vehicles, power converters and other power devices Indium phosphide substrate (InP): used for lasers, photodetectors, etc.;

4. Sapphire substrate: used for LED manufacturing, RFIC (radio frequency integrated circuit), etc.;

Vetek Semiconductor is a professional SiC Substrate and SOI substrate supplier in China. Our 4H semi-insulating type SiC substrate and 4H Semi Insulating Type SiC Substrate are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment.

Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable Wafer Substrate products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.

ALD

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.