> Haberler > Endüstri Haberleri

Endüstri Haberleri

3C SiC'nin Gelişim Tarihi

Sürekli teknolojik ilerleme ve derinlemesine mekanizma araştırması sayesinde, 3C-SiC heteroepitaksiyel teknolojisinin yarı iletken endüstrisinde daha önemli bir rol oynaması ve yüksek verimli elektronik cihazların geliştirilmesini teşvik etmesi bekleniyor.

Devamını oku

ALD Atomik Katman Biriktirme Tarifi

Uzamsal ALD, uzamsal olarak izole edilmiş atomik katman birikimi. Gofret farklı konumlar arasında hareket eder ve her konumda farklı öncülere maruz kalır. Aşağıdaki şekil, geleneksel ALD ile mekansal olarak izole edilmiş ALD arasındaki bir karşılaştırmadır.

Devamını oku

Tantal karbür teknolojisinde çığır açan gelişme, SiC epitaksiyel kirliliği %75 oranında azaltıldı mı?

Son zamanlarda Alman araştırma enstitüsü Fraunhofer IISB, tantal karbür kaplama teknolojisinin araştırma ve geliştirmesinde bir atılım yaparak CVD biriktirme çözümünden daha esnek ve çevre dostu bir sprey kaplama çözümü geliştirdi ve ticarileştirildi.

Devamını oku

Yarı iletken endüstrisinde 3 boyutlu baskı teknolojisinin keşif amaçlı uygulaması

Hızlı teknolojik gelişme çağında, ileri üretim teknolojisinin önemli bir temsilcisi olan 3D baskı, geleneksel imalatın çehresini giderek değiştiriyor. Teknolojinin sürekli olgunlaşması ve maliyetlerin azalmasıyla birlikte 3D baskı teknolojisi, havacılık, otomobil üretimi, tıbbi ekipman ve mimari tas......

Devamını oku

Silikon(Si) epitaksi hazırlama teknolojisi

Tek kristal malzemeler, çeşitli yarı iletken cihazların artan üretiminin ihtiyaçlarını tek başına karşılayamaz. 1959'un sonunda, ince bir tek kristal malzeme büyüme teknolojisi katmanı - epitaksiyel büyüme geliştirildi.

Devamını oku

8 inçlik silisyum karbür tek kristal büyütme fırını teknolojisine dayanmaktadır

Silisyum karbür, yüksek sıcaklık, yüksek frekans, yüksek güç ve yüksek voltajlı cihazların yapımında ideal malzemelerden biridir. Üretim verimliliğini artırmak ve maliyetleri azaltmak için büyük boyutlu silisyum karbür substratların hazırlanması önemli bir gelişme yönüdür.

Devamını oku

<...6 7 8 9 10 >