SiC kaplı Gofret Tutucu

VeTek Semiconductor, Çin'deki SiC kaplı levha tutucu ürünlerinin profesyonel üreticisi ve lideridir. SiC kaplı levha tutucu, yarı iletken işlemede epitaksi işlemi için kullanılan bir levha tutucudur. Plakayı stabilize eden ve epitaksiyel tabakanın düzgün bir şekilde büyümesini sağlayan yeri doldurulamaz bir cihazdır. Daha fazla istişarenize hoş geldiniz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

VeTek Semiconductor'ın SiC Kaplamalı Gofret Tutucusu genellikle yarı iletken işleme sırasında plakaları sabitlemek ve desteklemek için kullanılır. Yüksek performanslı bir üründürgofret taşıyıcıyarı iletken üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüzeyine bir silisyum karbür (SiC) tabakası kaplayarakalt tabakaÜrün, alt tabakanın korozyona uğramasını etkili bir şekilde önleyebilir ve levha taşıyıcının korozyon direncini ve mekanik mukavemetini geliştirerek işleme prosesinin stabilite ve hassasiyet gereksinimlerini karşılayabilir.

SiC Kaplamalı Gofret Tutucugenellikle yarı iletken işleme sırasında levhaları sabitlemek ve desteklemek için kullanılır. Yarı iletken üretiminde yaygın olarak kullanılan yüksek performanslı bir levha taşıyıcısıdır. Bir katman kaplayaraksilisyum karbür (SiC)Alt tabakanın yüzeyinde ürün, alt tabakanın korozyona uğramasını etkili bir şekilde önleyebilir ve levha taşıyıcının korozyon direncini ve mekanik mukavemetini geliştirerek işleme sürecinin stabilite ve hassasiyet gereksinimlerini karşılayabilir.

Silisyum karbür (SiC), yaklaşık 2.730°C'lik bir erime noktasına sahiptir ve yaklaşık 120–180 W/m·K'lik mükemmel termal iletkenliğe sahiptir. Bu özellik, yüksek sıcaklıktaki işlemlerde ısıyı hızlı bir şekilde dağıtabilir ve levha ile taşıyıcı arasındaki aşırı ısınmayı önleyebilir. Bu nedenle SiC Kaplamalı Gofret Tutucu, alt tabaka olarak genellikle silikon karbür (SiC) kaplı grafit kullanır.

SiC'nin son derece yüksek sertliği (yaklaşık 2.500 HV Vickers sertliği) ile birleştiğinde, CVD işlemiyle biriktirilen silisyum karbür (SiC) kaplama, SiC Kaplamalı Gofret Tutucunun aşınma direncini büyük ölçüde artıran yoğun ve güçlü bir koruyucu kaplama oluşturabilir. .

VeTek Semiconductor'ın SiC Kaplamalı Gofret Tutucusu, SiC kaplı grafitten yapılmıştır ve modern yarı iletken epitaksi süreçlerinde vazgeçilmez bir anahtar bileşendir. Grafitin mükemmel termal iletkenliğini (oda sıcaklığında termal iletkenlik yaklaşık 100-400 W/m·K'dir) ve mekanik mukavemeti ve silisyum karbürün mükemmel kimyasal korozyon direncini ve termal stabilitesini (SiC'nin erime noktası yaklaşık 100 W/m·K) akıllıca birleştirir. 2.730°C), günümüzün üst düzey yarı iletken üretim ortamının katı gereksinimlerini mükemmel şekilde karşılar.

Bu tek plakalı tasarım tutucusu,epitaksiyel süreçYüksek kaliteli, yüksek performanslı yarı iletken cihazların üretilmesine yardımcı olan parametreler. Eşsiz yapısal tasarımı, levhanın tüm süreç boyunca en fazla özen ve hassasiyetle işlenmesini sağlar, böylece epitaksiyel katmanın mükemmel kalitesini garanti eder ve son yarı iletken ürünün performansını artırır.

Çin'in lideri olarakSiC KaplamalıGofret Tutucu üreticisi ve lideri VeTek Semiconductor, ekipmanınıza ve proses gereksinimlerinize göre özelleştirilmiş ürünler ve teknik hizmetler sağlayabilir.Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı içtenlikle umuyoruz.

CVD SIC FİLM KRİSTAL YAPISININ SEM VERİLERİ：

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri:

CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri
Mülk	Tipik Değer
Kristal Yapısı	FCC β fazı çok kristalli, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk	3,21 g/cm³
Sertlik	2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tahıl Boyutu	2~10μm
Kimyasal Saflık	%99,99995
Isı Kapasitesi	640 J·kg^-1·K^-1
Süblimleşme Sıcaklığı	2700°C
Eğilme Dayanımı	415 MPa RT 4 noktalı
Young Modülü	430 Gpa 4pt viraj, 1300°C
Isı İletkenliği	300W·m^-1·K^-1
Termal Genleşme (CTE)	4,5×10^-6K^-1