CVD SiC Duş Başlığı

Fabrikamızdan CVD SiC Duş Başlığını satın alacağınızdan emin olabilirsiniz. VeTek Semiconductor CVD SiC Duş Başlığı, gelişmiş kimyasal buhar biriktirme (CVD) teknikleri kullanılarak katı silisyum karbürden (SiC) yapılmıştır. SiC, CVD SiC Duş Başlığı gibi büyük hacimli SiC bileşenleri için ideal olan olağanüstü termal iletkenliği, kimyasal direnci ve mekanik mukavemeti nedeniyle seçilmiştir.

Ürün Performansı ve Avantajları:

Yarı iletken üretimi için tasarlanan CVD SiC Duş Başlığı, yüksek sıcaklıklara ve plazma işlemeye dayanıklıdır. Hassas gaz akışı kontrolü ve üstün malzeme özellikleri, istikrarlı prosesler ve uzun vadeli güvenilirlik sağlar. CVD SiC kullanımı termal yönetimi ve kimyasal stabiliteyi geliştirerek yarı iletken ürün kalitesini ve performansını artırır.

Müşteri İhtiyaçlarının Karşılanması:

CVD SiC Duş Başlığı, proses gazlarını eşit şekilde dağıtarak ve hazneyi kirlenmeye karşı koruyarak epitaksiyel büyüme verimliliğini artırır. Sıcaklık kontrolü, kimyasal stabilite ve proses tutarlılığı gibi yarı iletken üretim zorluklarını etkili bir şekilde çözerek müşterilere güvenilir çözümler sunar.

Uygulama Senaryoları:

MOCVD sistemlerinde, Si epitaksisinde ve SiC epitaksisinde kullanılan CVD SiC Duş Başlığı, yüksek kaliteli yarı iletken cihaz üretimini destekler. Kritik rolü, yüksek performanslı ve güvenilir ürünlere yönelik çeşitli müşteri gereksinimlerini karşılayarak hassas proses kontrolü ve istikrarı sağlar.

CVD SiC Duş Başlığının ürün parametresi:

Üretim Atölyesi