Katı SiC Gaz Duş Başlığı

VeTek Semiconductor, Çin'in önde gelen Katı SiC Gaz Duş Başlığı üreticisi ve yenilikçisidir. Uzun yıllardır yarı iletken malzeme konusunda uzmanız. VeTek Yarı İletken Katı SiC Gaz Duş Başlığının çoklu gözenekli tasarımı, CVD işleminde üretilen ısının dağıtılabilmesini sağlar. , alt tabakanın eşit şekilde ısıtılmasını sağlar. Çin'de sizinle uzun vadeli kurulum yapmayı dört gözle bekliyoruz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

Katı SiC Gaz Duş Başlığı

VeTek Semiconductor araştırma, üretim ve satışa adanmış entegre bir şirkettir. 20 yılı aşkın deneyime sahip ekibimiz SiC, TaC kaplamalar ve CVD Katı SiC konusunda uzmanlaşmıştır. Katı SiC Gazlı Duş Başlığını bizden satın almaya hoş geldiniz.

VeTek Yarı İletken Katı SiC Gaz Duş Başlığı, yarı iletken CVD işlemleri sırasında öncü gazları alt tabaka yüzeyine eşit şekilde dağıtmak için yaygın olarak kullanılır. Duş başlıklarında CVD-SiC malzemesinin kullanılması birçok avantaj sunar. Yüksek termal iletkenliği, CVD işleminde üretilen ısının dağıtılmasına yardımcı olarak alt tabaka üzerinde eşit sıcaklık dağılımı sağlar. Ayrıca Katı SiC Gaz Duş Başlığının kimyasal stabilitesi, CVD proseslerinde yaygın olarak karşılaşılan aşındırıcı gazlara ve zorlu ortamlara dayanabilmesini sağlar. CVD-SiC duş başlıklarının tasarımı, belirli CVD sistemlerine ve proses gereksinimlerine göre uyarlanabilir. Bununla birlikte, genellikle bir dizi hassas delinmiş delik veya yarığa sahip plaka veya disk şeklinde bir bileşenden oluşurlar. Delik deseni ve geometrisi, alt tabaka yüzeyi üzerinde eşit gaz dağılımı ve akış hızı sağlayacak şekilde dikkatlice tasarlanmıştır.

Katı SiC'nin Fiziksel Özellikleri

Katı SiC'nin fiziksel özellikleri
Yoğunluk	3.21	g/cm3
Elektrik Direnci	102	Ω/cm
Bükülme mukavemeti	590	MPa	(6000kgf/cm2)
Gencin modülü	450	not ortalaması	(6000kgf/mm2)
Vickers Sertliği	26	not ortalaması	(2650kgf/mm2)
C.T.E.(RT-1000°C)	4.0	x10-6/K
Isıl İletkenlik(RT)	250	W/mK