TaC Kaplama Süseptör

VeTek Semiconductor, TaC Kaplama Süseptörünü sunar. Olağanüstü TaC kaplamasıyla bu süseptör, onu geleneksel çözümlerden ayıran çok sayıda avantaj sunar. Mevcut sistemlere sorunsuz bir şekilde entegre olan VeTek Semiconductor'ın TaC Kaplama Süseptörü, uyumluluk ve verimli çalışmayı garanti eder. Güvenilir performansı ve yüksek kaliteli TaC kaplaması, SiC epitaksi süreçlerinde sürekli olarak olağanüstü sonuçlar sağlar. Rekabetçi fiyatlarla kaliteli ürünler sunmaya kararlıyız ve Çin'deki uzun vadeli ortağınız olmayı dört gözle bekliyoruz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

VeTek Semiconductor'ın TaC kaplı tutucusu ve halkası, LPE silisyum karbür epitaksiyel büyüme reaktöründe birlikte çalışır:

Yüksek Sıcaklık Direnci: TaC kaplama tutucusu, LPE reaktöründe 1500°C'ye kadar aşırı sıcaklıklara dayanabilen mükemmel bir yüksek sıcaklık direncine sahiptir. Bu, ekipmanın ve bileşenlerin uzun süreli çalışma sırasında deforme olmamasını veya hasar görmemesini sağlar.

Kimyasal Stabilite: TaC kaplama tutucusu, aşındırıcı silisyum karbür büyüme ortamında olağanüstü iyi performans göstererek reaktör bileşenlerini aşındırıcı kimyasal saldırılara karşı etkili bir şekilde korur ve böylece hizmet ömrünü uzatır.

Termal Kararlılık: TaC kaplama tutucusu, reaktördeki sıcaklık alanının tekdüzeliğini sağlamak için yüzey morfolojisini ve pürüzlülüğünü koruyan iyi bir termal kararlılığa sahiptir; bu, silikon karbür epitaksiyel katmanların yüksek kaliteli büyümesi için faydalıdır.

Kirlenmeyi Önleme: Pürüzsüz TaC kaplı yüzey ve üstün TPD (Sıcaklık Programlı Desorpsiyon) performansı, reaktör içindeki parçacıkların ve yabancı maddelerin birikmesini ve adsorpsiyonunu en aza indirerek epitaksiyel katmanların kirlenmesini önleyebilir.

Özetle, TaC kaplı suseptör ve halka, LPE silisyum karbür epitaksiyel büyüme reaktöründe kritik bir koruyucu rol oynayarak ekipmanın uzun süreli stabil çalışmasını ve epitaksiyel katmanların yüksek kalitede büyümesini sağlar.

TaC Kaplama Süseptörünün ürün parametresi:

TaC kaplamanın fiziksel özellikleri
Yoğunluk	14,3 (g/cm³)
Spesifik emisyon	0.3
Termal genleşme katsayısı	6,3 10-6/K
Sertlik (HK)	2000 Hong Kong
Rezistans	1×10-5Ohm*cm
Termal stabilite	<2500°C
Grafit boyutu değişiklikleri	-10~-20um
Kaplama kalınlığı	≥20um typical value (35um±10um)