SiC Kaplamalı Destek Halkası

VeTek Semiconductor, esas olarak SiC kaplı destek halkaları, CVD silisyum karbür (SiC) kaplamalar, tantal karbür (TaC) kaplamalar, toplu SiC, SiC tozları ve yüksek saflıkta SiC malzemeleri üreten profesyonel bir Çin üreticisi ve tedarikçisidir. Yarı iletken endüstrisi için mükemmel teknik destek ve üstün ürün çözümleri sağlamaya kararlıyız; bizimle iletişime geçmekten memnuniyet duyarız.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

VeTek Yarı İletkenÇin merkezli lider bir üretici ve tedarikçi, aşağıdakiler de dahil olmak üzere bir dizi ürünün üretiminde uzmanlaşmıştır:SiC kaplı destek halkaları, CVD silisyum karbür kaplamalar, tantal karbür kaplamalar, toplu SiC, SiC tozları ve yüksek saflıkta SiC malzemeleri. Amacımız, kapsamlı teknik destek ve yarı iletken sektörü için özel olarak tasarlanmış en uygun ürün çözümlerini sunmaktır. Daha fazla bilgi ve yardım için bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

VeTek Yarı İletken'SSiC kaplı destek halkalarıyeni nesil yüksek sıcaklığa dayanıklı malzemelerdir. Korozyona dayanıklı kaplamalar, oksidasyona dayanıklı kaplamalar ve aşınmaya dayanıklı kaplamalar olarak 1650°C'nin üzerindeki ortamlarda kullanılabilirler ve yarı iletken alanlarda yaygın olarak kullanılırlar.

Yüksek kaliteli özellikleriSiC kaplı destek halkalarıÜçüncü nesil yarı iletken bileşenlerin epitaksiyel büyümesinde çok önemli bir rol oynarlar.

Sıcaklık homojenliğinin korunması: SiC kaplı destek halkaları mükemmel termal iletkenliğe sahiptir ve epitaksiyel büyüme sırasında eşit sıcaklık dağılımı sağlayabilir. Bu, levha yüzeyindeki termal gradyanların ve gerilimlerin azaltılmasına yardımcı olur ve böylece epitaksiyel katmanın kalitesini artırır.

Aşırı Kimyasal Kararlılık: Epitaksiyel büyüme süreci sırasında,SiC kaplı destek halkalarıdestek halkalarının ömrünü uzatarak ve prosesin bütünlüğünü koruyarak reaksiyon gazlarından gelen kimyasal saldırılara karşı direnç gösterebilirler. Bu kimyasal stabilite, kirlenme riskinin azaltılmasına ve yarı iletken cihazların saflığının ve performansının geliştirilmesine yardımcı olur.

Hassas Konumlandırma: SiC kaplı destek halkaları, düzgün katman birikimi elde etmek için kritik olan levhanın hassas konumunu koruyabilir. Bu hassas konumlandırma, epitaksiyel tabakanın kalınlığının ve kalitesinin tutarlılığının sağlanmasına yardımcı olur.

CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri: