TaC Kaplamalı MOCVD Süseptör

VeTek Semiconductor, TaC kaplamalar ve SiC kaplama parçalarının araştırma, geliştirme, üretim, tasarım ve satışında yer alan kapsamlı bir tedarikçidir. Uzmanlığımız, LED epitaksi sürecinde hayati bir rol oynayan TaC Kaplamalı son teknoloji ürünü MOCVD Süseptörünün üretiminde yatmaktadır. Sorularınızı ve daha fazla bilgiyi bizimle görüşmenizi memnuniyetle karşılıyoruz.

Talep Gönder

Ürün Açıklaması

VeTek Semiconductor, TaC Kaplamalı MOCVD Süseptör konusunda uzmanlaşmış, önde gelen Çinli bir üretici, tedarikçi ve ihracatçıdır. TaC Kaplamalı en son satan, düşük fiyatlı ve yüksek kaliteli MOCVD Süseptörlerini satın almak için fabrikamıza gelmenizden memnuniyet duyarız. Sizinle işbirliği yapmayı sabırsızlıkla bekliyoruz.

LED epitaksi, kristal kalite kontrolü, malzeme seçimi ve eşleştirme, yapısal tasarım ve optimizasyon, süreç kontrolü ve tutarlılığı ve ışık çıkarma verimliliği gibi zorluklarla karşı karşıyadır. Doğru epitaksi plaka taşıyıcı malzemesinin seçilmesi çok önemlidir ve bunun tantal karbür (TaC) ince film (TaC kaplama) ile kaplanması ek avantajlar sağlar.

Bir epitaksi levha taşıyıcı malzemesi seçerken birkaç temel faktörün dikkate alınması gerekir:

Sıcaklık toleransı ve kimyasal stabilite: LED epitaksi işlemleri yüksek sıcaklıklar içerir ve kimyasalların kullanımını içerebilir. Bu nedenle, yüksek sıcaklık ve kimyasal ortamlarda taşıyıcının stabilitesini sağlamak için iyi sıcaklık toleransına ve kimyasal stabiliteye sahip malzemelerin seçilmesi gerekmektedir.

Yüzey düzlüğü ve aşınma direnci: Epitaksi levha taşıyıcısının yüzeyi, epitaksi levhanın düzgün temasını ve istikrarlı büyümesini sağlamak için iyi bir düzlüğe sahip olmalıdır. Ayrıca yüzey hasarını ve aşınmayı önlemek için aşınma direnci önemlidir.

Termal iletkenlik: İyi termal iletkenliğe sahip bir malzemenin seçilmesi, ısının etkili bir şekilde dağıtılmasına, epitaksi katmanı için sabit bir büyüme sıcaklığının korunmasına ve proses kararlılığı ve tutarlılığının iyileştirilmesine yardımcı olur.

Bu bağlamda, epitaksi gofret taşıyıcısının TaC ile kaplanması aşağıdaki avantajları sunar:

Yüksek sıcaklık stabilitesi: TaC kaplama, mükemmel yüksek sıcaklık stabilitesi sergileyerek, yüksek sıcaklıktaki epitaksi işlemleri sırasında yapısını ve performansını korumasına olanak tanır ve üstün sıcaklık toleransı sağlar.

Kimyasal stabilite: TaC kaplama, yaygın kimyasallardan ve atmosferden kaynaklanan korozyona karşı dayanıklıdır, taşıyıcıyı kimyasal bozulmadan korur ve dayanıklılığını artırır.

Sertlik ve aşınma direnci: TaC kaplama, yüksek sertliğe ve aşınma direncine sahiptir, epitaksi levha taşıyıcısının yüzeyini güçlendirir, hasarı ve aşınmayı azaltır ve ömrünü uzatır.

Termal iletkenlik: TaC kaplama, iyi bir termal iletkenlik sergileyerek ısı dağılımına yardımcı olur, epitaksi katmanı için sabit bir büyüme sıcaklığı sağlar ve işlem stabilitesini ve tutarlılığını artırır.

Bu nedenle, TaC kaplamalı bir epitaksi levha taşıyıcısının seçilmesi, yüksek sıcaklık ve kimyasal ortamların gereksinimlerini karşılayarak LED epitaksinin zorluklarının aşılmasına yardımcı olur. Bu kaplama, yüksek sıcaklık stabilitesi, kimyasal stabilite, sertlik ve aşınma direnci ve termal iletkenlik gibi avantajlar sunarak epitaksi levha taşıyıcının gelişmiş performansına, kullanım ömrüne ve üretim verimliliğine katkıda bulunur.

TaC kaplamanın temel fiziksel özellikleri:

TaC kaplamanın fiziksel özellikleri
Yoğunluk	14,3 (g/cm³)
Spesifik emisyon	0.3
Termal genleşme katsayısı	6,3 10-6/K
Sertlik (HK)	2000 Hong Kong
Rezistans	1×10-5Ohm*cm
Termal kararlılık	<2500°C
Grafit boyutu değişiklikleri	-10~-20um
Kaplama kalınlığı	≥20um tipik değer (35um±10um)