VeTek Semiconductor, CVD SiC kaplama üretimindeki uzmanlığıyla Aixtron SiC Kaplama Kollektör Tabanını gururla sunar. Bu SiC Kaplama Kollektör Tabanı, yüksek saflıkta grafit kullanılarak yapılmıştır ve 5 ppm'nin altında kirlilik sağlayacak şekilde CVD SiC ile kaplanmıştır. Daha detaylı bilgi ve sorularınız için bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
VeTek Semiconductor, yüksek kaliteli CVD TaC Kaplama ve CVD SiC Kaplama Toplayıcı Tabanı sağlamaya kendini adamış bir üreticidir ve müşterilerimizin ihtiyaçlarını karşılamak için Aixtron ekipmanlarıyla yakın işbirliği içinde çalışır. İster proses optimizasyonunda ister yeni ürün geliştirmede size teknik destek sağlamaya ve aklınıza takılan her türlü soruyu yanıtlamaya hazırız.
Aixtron SiC Kaplama Kollektör Üstü, Kollektör Merkezi ve SiC Kaplama Kollektör Tabanı ürünleri. Bu ürünler ileri yarı iletken üretim süreçlerinde kullanılan temel bileşenlerden biridir.
Aixtron SiC kaplı Kolektör Üstü, Kollektör Merkezi ve Kollektör Tabanının Aixtron ekipmanındaki kombinasyonu aşağıdaki önemli rolleri oynar:
Termal yönetim: Bu bileşenler mükemmel termal iletkenliğe sahiptir ve ısıyı etkili bir şekilde iletebilmektedir. Yarı iletken üretiminde termal yönetim çok önemlidir. Kolektör Üstü, Kollektör Merkezi ve Silikon Karbür Kaplamalı Kollektör Tabanındaki SiC kaplamalar, ısının verimli bir şekilde uzaklaştırılmasına, uygun proses sıcaklıklarının korunmasına ve ekipmanın termal yönetiminin iyileştirilmesine yardımcı olur.
Kimyasal atalet ve korozyon direnci: Aixtron SiC kaplamalı Kollektör Üstü, Kollektör Merkezi ve SiC Kaplamalı Kollektör Tabanı mükemmel kimyasal atalet özelliğine sahiptir ve kimyasal korozyona ve oksidasyona karşı dayanıklıdır. Bu, onların zorlu kimyasal ortamlarda uzun süre stabil bir şekilde çalışmasına olanak tanır, güvenilir bir koruyucu katman sağlar ve bileşenlerin servis ömrünü uzatır.
Elektron ışını (EB) buharlaşma süreci desteği: Bu bileşenler, Aixtron ekipmanında elektron ışını buharlaşma sürecini desteklemek için kullanılır. Kolektör Üstü, Kollektör Merkezi ve SiC Kaplama Kollektör Tabanının tasarımı ve malzeme seçimi, tekdüze film birikimi elde edilmesine yardımcı olur ve film kalitesi ve tutarlılığını sağlamak için stabil bir alt tabaka sağlar.
Film yetiştirme ortamının optimizasyonu: Kolektör Üstü, Kollektör Merkezi ve SiC Kaplama Kollektör Tabanı, Aixtron ekipmanındaki film yetiştirme ortamını optimize eder. Kaplamanın kimyasal inertliği ve termal iletkenliği, yabancı maddeleri ve kusurları azaltmaya ve filmin kristal kalitesini ve tutarlılığını iyileştirmeye yardımcı olur.
Aixtron SiC kaplı Kollektör Üstü, Kollektör Merkezi ve SiC Kaplama Kollektör Tabanı kullanılarak yarı iletken üretim süreçlerinde termal yönetim ve kimyasal koruma sağlanabilir, film büyüme ortamı optimize edilebilir ve filmin kalitesi ve tutarlılığı iyileştirilebilir. Bu bileşenlerin Aixtron ekipmanındaki kombinasyonu, istikrarlı proses koşulları ve verimli yarı iletken üretimi sağlar.
CVD SiC kaplamanın temel fiziksel özellikleri | |
Mülk | Tipik değer |
Kristal yapı | FCC β fazı çok kristalli, esas olarak (111) yönelimli |
Yoğunluk | 3,21 g/cm³ |
Sertlik | 2500 Vickers sertliği (500g yük) |
Tane büyüklüğü | 2~10μm |
Kimyasal Saflık | %99,99995 |
Isı kapasitesi | 640 J·kg-1·K-1 |
Süblimleşme Sıcaklığı | 2700°C |
Bükülme mukavemeti | 415 MPa RT 4 noktalı |
Gencin modülü | 430 Gpa 4pt viraj, 1300°C |
Termal iletkenlik | 300W·m-1·K-1 |
Termal Genleşme (CTE) | 4,5×10-6K-1 |